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61℃)之间，在100℃左右时铟开始氧化，表面形成极薄的氧化膜，温度更高时，能与氧、卤素、硫、硒、碲、磷反应，铟能与汞形成汞齐。铟能与许多金属形成合金（尤其是铁，粘有铁的铟会显著地被氧化）。在目前的技术经济条件下，只有铅锌矿中的
为了获得高质量的ITO阳极层，有必要在射频射频溅射过程中将玻璃衬底温度提高到300–400℃。为了比较氢氧化铟锡阳极膜和参比氧化铟锡阳极膜的氢氧浓度，采用了模拟人生深度剖面分析。氢氧化铟锡阳极层中的高氢氧化物浓度表明H2O蒸汽作为氢氧化
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。与蒸发镀膜不同
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