铁电薄膜材料的纳米复合化纳米粒子地分布(图)

1.本发明属于电子材料、功能材料和智能材料领域，具体涉及一种钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜及其制备方法。

背景技术：

2.铁电薄膜材料具有优异的铁电、压电、光电和介电性能，广泛应用于数据存储器件、晶体场效应晶体管、表面声波器件、脉冲功率器件等。在铁电集成微电子领域有着广泛的应用。

3.铁电材料的典型代表是锆钛酸铅pb(zr

x

ti

1-x

)o3，pzt，即锆酸铅和钛酸铅形成的固溶体。当zr:ti=52:48时，由于化学成分位于准同型相界mpb，在晶体结构中可以同时存在四方相、菱面体相或单斜相，因此具有优越的铁电、压电，光电和介电性能。目前，制备铁电薄膜材料或铁电复合薄膜材料的方法有很多种，包括脉冲激光沉积、磁控溅射、分子束外延、化学溶液沉积等，其中以化学溶液沉积最多。常用的方法。制备方法。铁电薄膜材料的纳米复合化是进一步改善其性能的有效方法。例如，在 pzt 和 pbzro3 矩阵中嵌入 au 纳米粒子可以增加 pb(zr

0.52

ti

0.48

) o3 和 pbzro3 薄膜的最大极化，从而增加 pbzro3 薄膜的储能密度。同样，制备α-fe2o3‒

pbzro3纳米复合薄膜，使α-fe2o3纳米颗粒均匀分布在pbzro3基体中，由于α-fe2o3纳米颗粒周围局部电场的影响，薄膜的最大极化和储能密度显着提高与非铁电材料如au纳米粒子和α-fe2o3纳米粒子不同，如果将具有铁电特性的纳米粒子嵌入铁电薄膜的基底上，由于局部电场和极化耦合的影响，有可能显着提高铁电特性。根据现有技术，采用化学溶液沉积法制备铁电纳米复合薄膜时，如果将两种不同化学成分的前驱体溶液混合，所制备的铁电薄膜为化学成分均匀的固溶体。例如，通过混合pbzro3前体和pbtio3前体，锆钛酸铅pb(zr

可以制备化学成分均匀的

x

ti

1-x

)o3 固溶体。如果将具有相同或不同化学成分的结晶纳米颗粒添加到前体溶液中，则会出现两个问题；当结晶纳米粒子的尺寸较大时，难以制备薄膜，结晶纳米粒子不能非常接近基体。当结晶纳米粒子尺寸较小时，纳米粒子容易团聚，难以制备纳米粒子均匀分散在基体上的复合材料。薄膜、铁电性能也难以提高。为此，需要开发新的纳米复合材料技术。

技术实施要素：

4.本发明的目的：当晶体纳米粒子尺寸较大时，难以制备薄膜，且晶体纳米粒子与基体结合不好，存在微裂纹、微裂纹等微观缺陷。出现针孔。泄漏会降低铁电性能；当晶体纳米粒子尺寸小时，纳米粒子容易团聚，难以制备纳米粒子均匀分散在基体上的复合薄膜，铁电性能也难以提高。技术缺陷，提供钛酸铅。

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锆酸铅纳米复合薄膜及其制备方法。

5.技术解决方案：钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜，薄膜材料的摩尔比满足以下要求：pbtio3:pbzro3为3~12:37。

6.薄膜材料的微观结构具有pbtio3纳米颗粒均匀分布在pbzro3基体上的结构特征。

7.本发明还提供了钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜材料的制备方法，具体步骤如下：(1）三水醋酸铅(pb(ch3coo)2·

3h2o)和异丙醇钛(ti((ch3)2cho)4）为溶质，乙酸为溶剂制备pbtio3前驱体溶液。根据pb:ti的原子比,1.1:1，称取醋酸铅和异丙醇钛，加入到pbtio3浓度为0.3~0.5m的醋酸中，80℃加热30分钟至溶质完全溶解，冷却至室温后，磁力搅拌至溶液澄清透明，按425ml/l的比例加入稀释剂，搅拌均匀（稀释剂用去离子水：乙酸：异丙醇配制）体积比为2:5:10) 然后加入乙二醇以12.5 ml/l的比例调节溶液的粘度，搅拌30分钟，最后再加入乙酸调整浓度使溶液浓度0.3~0.5 m，得到澄清透明的溶液；用0.45 μm的滤膜过滤溶液，陈化48几小时前在 pbtio3 凝胶中；取出pbtio3凝胶，放入坩埚中，放入电炉150o

c 加热 10 小时后，得到块状 pbtio3 胶体。将pbtio3胶体在研钵中研磨4小时，得到平均粒径约100 nm的pbtio3凝胶粉末。

8.（2）以2-甲氧基乙醇为溶剂，醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2·

以

3h2o)和正丙醇锆(zr(och2ch2ch3)4）)为溶质制备锆酸铅前驱体溶液。根据pb:zr的原子比，1.2:1，称取醋酸铅和正丙醇锆，加入标准锆酸铅浓度0.3~0.5 m的乙二醇甲醚中，恒温蒸馏120 °C 90 分钟，然后冷却至室温。以 175 ml/l 的比例加入去离子水并磁力搅拌直至溶液澄清。然后，按比例加入乳酸 (ch3ch(oh)cooh) 42g/l和乙二醇按25g/l(ch2oh)2的比例搅拌30分钟，最后再加入乙二醇甲醚补充蒸馏过程中溶剂的损失，使溶液浓度达到0.3~0.5 m，得到透明溶液；用0.45 μm过滤器过滤，使用前老化20小时；（3）pbtio3 st制备的凝胶粉末ep(1）为pbtio3:pbzro3摩尔比为3:加入量为37~12:37的加入步骤(2）制备的pbzro3前驱体溶液中，磁力搅拌12小时后，得到含有pbtio3胶体颗粒的pbzro3前驱体溶液。

9.(4）旋涂钛酸铅

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铅锆酸盐薄膜。将步骤(3）制备的含有pbtio3胶体颗粒的pbzro3前驱体溶液滴落到pt/ti/sio2/si基板上进行旋涂，转速2500~4000rpm，时间30~50秒,得到复合膜的原料膜，将原料膜放置在110~150o

C的热板干燥5~30分钟，然后放入400~500o

在c的电炉中加热5~10分钟进行热分解处理。

10.(5）重复该步骤(4）4次，得到含有pbtio3胶体颗粒的厚度为500nm的pbzro3非晶薄膜。

11.(6）将步骤(5）制备的含有pbtio3胶体颗粒的pbzro3非晶薄膜放入电炉中退火，加热温度为600~750℃

p>

c，加热时间为20~40分钟。在退火过程中，pbzro3基体和pbtio3凝胶纳米粒子分别结晶成钙钛矿相，形成了pbtio3钙钛矿相纳米粒子均匀分布在pbzro3钛相基体上的微结构，从而得到钛酸铅。

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锆酸铅纳米复合薄膜材料。

12.优选地，步骤（1）优选控制钛酸铅前驱体溶液的浓度在0.4m。

13.优选地，步骤（2）优选控制锆酸铅前驱体溶液的浓度在0.4m。

14.优选的，该步骤（3）优选为控制钛酸铅凝胶粉的加入量使pbtio3:pbzro3摩尔比为6:37。

15.优选步骤（4）的旋涂速度和时间为3000转/分40秒，干燥温度和时间优选为120℃

c和10分钟，热分解温度和时间优选450o

c 加热 10 分钟。

16.优选步骤（5）加热温度和时间为700℃

c 和 30 分钟。

17.本发明的优点：本发明采用化学溶液沉积法制备钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜具有工艺简单、成本低、大面积成膜均匀等特点。它的极化特性可以根据钛酸铅的摩尔比进行调整，从反铁电到铁电。钛酸铅/锆酸铅摩尔比为6/37的钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜具有良好的铁电性，剩余极化为77.7 μc/cm2，明显高于常用的pb(zr

具有准同型边界。

0.52

ti

0.48

)o3薄膜（一般为20~40 μc/cm2）。其最大极化和击穿电场强度分别比锆酸铅薄膜高141.4%和15<。 @7.3%.钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜在数据存储、晶体场效应晶体管、表面声波器件等铁电集成微电子领域具有广阔的应用前景。

图纸说明

18.图1为本发明制备的钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜微观结构的SEM图；图2为本发明制备的钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜的磁滞回线随钛酸铅含量摩尔比的变化；图3为本发明制备的钛酸铅

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锆酸铅纳米复合膜的最大极化、剩余极化、最大极化与剩余极化之差、击穿电场强度与钛酸铅含量摩尔比的关系；图4为本发明得到的钛酸铅曲线图

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锆酸铅纳米复合薄膜的最大极化、剩余极化和矫顽场随退火温度的变化；图5 锆钛酸铅pb(zr

0.52

ti

0.48

) o3薄膜极化和电场的磁滞回线。

具体实现方法

19.以下实施例将进一步说明本发明，但并不因此限制本发明。

20.钛酸铅

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锆酸铅纳米复合薄膜，薄膜材料的组成符合以下要求：pbtio3:pbzro3的摩尔比为3~12:37；薄膜材料的钛酸铅纳米粒子均匀分布在锆酸铅基体上。

21.示例1步骤（1）：醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2·

3h2o)和异丙醇钛(ti((ch3)2cho)4）为溶质，乙酸为溶剂制备pbtio3前驱体溶液。根据pb:ti的原子比,1.1:1，称取醋酸铅和异丙醇钛，加入标准pbtio3浓度为0.4m的醋酸中，80℃加热30分钟至溶质完全溶解，冷却至室温，然后磁力搅拌至溶液澄清透明，加入稀释剂425ml/l并充分搅拌（稀释剂用去离子水：乙酸：异丙醇2：5体积比配制） :10).然后按1<@以2.5 ml/l的比例加入乙二醇调节溶液的粘度，搅拌30分钟，最后再加入乙酸调节浓度，使溶液浓度达到0.4 m，得到澄清透明的溶液；@0.用45 μm滤膜过滤，陈化48小时得到pbtio3凝胶；取出pbtio3凝胶，放入坩埚中，放入150℃的电炉中

c 加热 10 小时后，得到块状 pbtio3 胶体。将pbtio3胶体在研钵中研磨4小时，得到平均粒径约100 nm的pbtio3凝胶粉末。

22.步骤（2）：以2-甲氧基乙醇为溶剂，醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2·

以

3h2o)和正丙醇锆(zr(och2ch2ch3)4）)为溶质制备锆酸铅前驱体溶液。根据pb:zr的原子比，1.2:1，称取醋酸铅和正丙醇锆，以锆酸铅浓度0.4 m为标准，加入乙二醇甲醚中，120℃恒温蒸馏90分钟，然后冷却至室温，按比例加入去离子水，磁力搅拌至溶液澄清透明，然后加入乳酸(ch3ch(oh)cooh)和25g/l乙二醇(ch2oh)2，比例为42g /l，然后搅拌

30 分钟。最后再次加入乙二醇甲醚，补充蒸馏过程中溶剂的损失，使溶液浓度达到0.4 m，得到透明溶液；溶液用0.45 μm的过滤器过滤，陈化20小时后使用；步骤(3）步骤(1）按照pbtio3:pbzro3摩尔比3:37、6:37和12:37制备的pbtio3凝胶粉末加入步骤(2）在制备的pbzro3前驱体溶液中，磁力搅拌12小时后，得到3种不同pbtio3凝胶颗粒组成的pbzro3前驱体溶液。

23.step (4）步骤(3）制备的三种不同pbtio3凝胶颗粒组成的pbzro3前驱体溶液滴入pt/ti/sio2/si旋涂上以3000转/分40秒的速度对基板进行3个不同pbtio3凝胶颗粒组成的pbzro3原料膜，然后将3个不同pbtio3凝胶颗粒组成的pbzro3原料膜置于120o

在 c 的热板上干燥 10 分钟，然后放置在 450 o

电炉加热

c 5分钟进行热分解处理； step (5）重复step (4） 4次，制备3种厚度为500 nm的pbtio3凝胶和不同pbtio3 Pbzro3颗粒组成的非晶薄膜。

24.Step(6）Step(5）制备的三个非晶薄膜在加热温度为700o的电炉中退火

c，加热时间为30分钟。在退火过程中，pbzro3基体和pbtio3凝胶纳米粒子分别结晶成钙钛矿相，微观结构形成了pbtio3钙钛矿相纳米粒子均匀分布在pbzro3钙钛矿相基体上的结构特征。 pbtio3/pbzro3摩尔比为3/37的纳米复合薄膜具有反铁电性（见图2（b）），其最大极化、剩余极化和击穿电场为50.@ >8 μc/cm< @2、33.0 μc/cm2 和 1316 kv/cm（见图3）。pbtio3/pbzro3 摩尔比为 6/37 的纳米复合薄膜，具有铁电性能（见图. 2(c))，最大极化、剩余极化和击穿电场分别为114.6 μc/cm<@2、77.7 μc/cm<@2、1357 kv/cm（见图3）。pbtio3/pbzro3摩尔比为12/37的复合薄膜也是铁电体（见图2(d)），其最大极化、剩余极化和击穿电场分别约为 54.5 μc/cm<@2、33.1 μc/cm2 和 1577 kv/cm（见图3）。

25.示例2步骤（1）：醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2

3h2o)和异丙醇钛(ti((ch3)2cho)4）为溶质，乙酸为溶剂制备pbtio3前驱体溶液。根据pb:ti的原子比,1.1:1，称取醋酸铅和异丙醇钛，加入标准pbtio3浓度为0.4m的醋酸中，80℃加热30分钟至溶质完全溶解，冷却至室温，然后磁力搅拌至溶液澄清透明，按425ml/l的比例加入稀释剂，搅拌均匀（稀释剂用去离子水：乙酸：异丙醇2：5的体积比配制） :10).然后按1<@以2.5 ml/l的比例加入乙二醇调节溶液的粘度，搅拌30分钟，最后再加入乙酸调节浓度，使溶液浓度达到0.4m，得到澄清透明的溶液；@0.用45μm过滤器过滤，陈化48小时s 获得 pbtio3 凝胶；取出pbtio3凝胶，放入坩埚中，放入150℃的电炉中

c 加热 10 小时后，得到块状 pbtio3 胶体。将pbtio3胶体在研钵中研磨4小时异丙醇钛浓度，得到平均粒径约100 nm的pbtio3凝胶粉末。

26.步骤（2）：以2-甲氧基乙醇为溶剂，醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2·

以

3h2o)和正丙醇锆(zr(och2ch2ch3)4）)为溶质制备锆酸铅前驱体溶液。根据pb:zr的原子比，1.2:1，

称取醋酸铅和正丙醇锆，加入标准锆酸铅浓度0.4 m的乙二醇甲醚中，120℃蒸馏90分钟，冷却至室温以 175 ml/l 的比例加入去离子水并磁力搅拌直至溶液清澈透明。然后，以42g/l的比例添加乳酸(ch3ch(oh)cooh)，以25g/l的比例添加乙二醇(ch2oh)2，搅拌30分钟。最后再次加入乙二醇甲醚，补充蒸馏过程中溶剂的损失，使溶液浓度达到0.4 m，得到透明溶液；溶液用0.45 μm的过滤器过滤，陈化20小时后使用；步骤(3）：将步骤(1）制备的pbtio3凝胶粉按pbtio3:pbzro3摩尔比6:37)加入步骤(2）制备的pbtio3前驱体)中溶液，磁力搅拌12小时后，得到含有pbtio3凝胶颗粒的pbzro3前驱体溶液。

27.Step(4）：将(3）制备的含有pbtio3凝胶颗粒的pbzro3前驱体溶液滴落到pt/ti/sio2/si基板上进行旋涂，转速4000转，时间30秒得到复合膜原料膜，然后将原料膜置于120o

在 c 的热板上干燥 10 分钟，然后放置在 450 o

在c的电炉中加热5分钟进行热分解处理。

28.步骤（5）：重复步骤（4）4次，得到厚度为500nm的含有pbtio3凝胶颗粒的pbzro3非晶薄膜。

p>

29.步骤（6）：将步骤（5）制备的含有pbtio3凝胶颗粒的pbzro3非晶膜置于电炉中退火，加热温度为650℃）

c, 700 o

c 和 750 o

c，加热时间为30分钟。在退火过程中，pbzro3基体和pbtio3凝胶纳米粒子分别结晶成钙钛矿相，形成了pbtio3钙钛矿相纳米粒子均匀分布在pbzro3钙钛矿相基体上的微观结构（见图1）.700o

c退火复合膜具有良好的铁电性（见图2（c）），最大极化、剩余极化和击穿电场为114.6 μc/cm<@2、7<@ 7.7 μc/cm<@2、1357 kv/cm，极化切换与矫顽场附近的电场强度呈线性关系（见图3）。复合薄膜的铁电性能作为退火温度的函数，如图 4 所示。 650 o

c退火复合薄膜，由于退火温度较低，pbzro3基体不能完全转变为钙钛矿相，因此其铁电性能较低（最大极化、剩余极化和击穿电场强度分别为4 9.3 μc/cm<@2、17.7 μc/cm<@2、72.0 kv/cm)，而 750 o

c退火复合薄膜，由于退火温度过高，薄膜表面的pb挥发导致薄膜表面出现烧绿石相，因此其铁电性能也优于700o

c退火复合膜低（最大极化、剩余极化和击穿电场为100.1 μc/cm<@2、35.2 μc/cm<@2、 97.3 kv/cm)。

30.比较例1步骤（1）：以2-甲氧基乙醇为溶剂，醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2·

以

3h2o)和正丙醇锆(zr(och2ch2ch3)4）)为溶质制备锆酸铅前驱体溶液。根据pb:zr的原子比，1.2:1，称取醋酸铅和正丙醇锆，加入到标准锆酸铅浓度0.4 m的乙二醇甲醚中，120℃恒温蒸馏90分钟，然后冷却至室温，按l的比例加入去离子水，磁力搅拌至溶液澄清透明，然后按42的比例加入乳酸(ch3ch(oh)cooh)和乙二醇(ch2oh)2 g/l调节溶液粘度，搅拌30分钟，最后再次加入乙二醇甲醚补充蒸馏过程中溶剂的损失，使溶液浓度达到0.4 m ，得到透明溶液；溶液用0.45 μm的滤膜过滤过滤，陈化20小时后使用；步骤（<@k 21@>:

使用pt/ti/sio2/si(100)基板。将步骤(1）制备的锆酸铅前驱体溶液滴到基板上以3000转/分钟的速度旋涂，时间为40秒，得到pbzro3原料膜；步骤（3）：锆酸铅原料膜置于120o

在 c 的热板上干燥 10 分钟，然后分别在 300 o 下干燥

c 和 600 o

马弗炉中的热量

c 10分钟进行热分解处理；步骤(4）：重复上述步骤(3）的旋涂、干燥和热分解处理过程4次，得到厚度为500nm的pbzro3非晶薄膜。

31.Step(5）：将Step(4）中制备的pbzro3非晶膜在电炉中退火，使其完全结晶成钙钛矿相。退火过程加热温度是 700 o

c，加热时间为30分钟。制备的锆酸铅薄膜材料具有反铁电性（见图2（a）），最大极化、剩余极化和击穿电场为47.5 μc/cm<@ 2、1.@ >1 μc/cm2 和 511 kv/cm（见图 3）.

32.比较例2步骤（1）：以醋酸为溶剂，醋酸铅三水合物（pb(ch3coo)2

3h2o)、正丙醇锆 (zr(och2ch2ch3)4） 和异丙醇钛 (ti((ch3)2cho)4） pb 用于溶质 (zr

0.52

ti

0.48

) o3 前体溶液。按pb:zr:ti的原子比为1.1:1:1，称取醋酸铅、正丙醇锆和异丙醇钛，用pb(zr

0.52

ti

0.48

) 将 o3 浓度为 0.4 m 的标准品加入乙酸中异丙醇钛浓度，在 80 °C 加热 30 分钟直至溶质完全溶解，冷却至室温，磁力搅拌 60 分钟, 然后以 450 ml/l 的比例加入稀释剂搅拌至溶液澄清（稀释剂按去离子水:乙酸:异丙醇 ((ch3)2choh) 为 3:5 的比例制备） :10).然后按12.5以ml/l的比例加入乙二醇(ch2oh)2调节溶液的粘度，搅拌30分钟，最后加入异丙醇调节再次浓缩，使溶液浓度达到0.4 m，得到清亮透明的pb(zr

0.52

ti

0.48

)o3 溶液；溶液用 0.45 μm 过滤器过滤，使用前陈化 20 小时。

33.Step (2）: 使用pt/ti/sio2/si(100)substrate。将步骤中配置的锆钛酸铅(1）前驱体)将溶液滴在基板上，以 3000 rpm 的速度旋涂 40 秒，得到 pb(zr

0.52

ti

0.48

) o3的原料膜。

34.Step (3）: pb(zr

逐步准备（2））

0.52

ti

0.48

)o3原料膜在120o

在 450 o 的热板上干燥 10 分钟

c 在电炉中加热 10 分钟进行热分解； step (4）：重复step (3） 4次，得到厚度为500nm的pbzr

0.52

ti

0.38

o3非晶薄膜。

35.步(5）: pb(zr

逐步准备（4））

0.52

ti

0.48

) o3 非晶膜在电炉中退火，使其完全结晶成钙钛矿相。退火工艺的加热温度为650 o

c，加热时间为30分钟。得到的锆钛酸铅薄膜材料为铁电体（见图5），最大极化、剩余极化和矫顽场分别为42.3 μc/cm2、@）。 >26.5 μc/cm2和212 kv/cm.：pbzro3基体和pbtio3与比较例1的锆酸铅薄膜材料钛酸铅比较

-

锆酸铅纳米复合薄膜材料的微观结构具有pbtio3钙钛矿相纳米颗粒均匀分布在pbzro3钙钛矿相基体上的结构特征（见图1），其极化特性可根据pbtio3:pbzro3摩尔比由反铁电体调节，pbtio3:pbzro3 摩尔比为 3/37

当 pbtio3:pbzro3 的摩尔比为 6/37 时，该特性变成铁电体（见图 2）。pbtio3:pbzro3 的摩尔比为 6/37 的钛酸铅

-

锆酸铅纳米复合薄膜具有良好的铁电性，最大极化和剩余极化分别为114.6 μc/cm2和77.7 μc/cm2，与pb( zr

在第 2 列中制备准同型相界

0.52

ti

0.48

)o3 薄膜（42.3 μc/cm2 和 26.5 μc/cm2）（见图4））提高了约 171.1% 和 193.2%. 钛酸铅

-

锆酸铅纳米复合薄膜的最大极化强度和击穿电场强度分别比对比例1的锆酸铅薄膜高141.4%和157.3% （见图3）.钛酸铅

-

锆酸铅纳米复合薄膜在数据存储、晶体场效应晶体管、表面声波器件等铁电集成微电子领域具有广阔的应用前景。

36.在pbtio3前驱体中加入pbtio3凝胶粒子，首先制备含有pbtio3凝胶纳米粒子的前驱体溶液。由于 pbtio3 凝胶颗粒尚未结晶，其表面在 pbzro3 前驱体溶液中部分溶解和改性，因此可以均匀分布在溶液中。在后续的旋涂和热处理过程中，pbtio3凝胶颗粒还可以保留自身的化学成分，结晶成pbtio3钙钛矿相的纳米颗粒，并均匀分散在pbzro3钙钛矿相的基体中，从而得到钛酸铅

-

锆酸铅纳米复合薄膜材料。由于pbtio3钙钛矿相的纳米颗粒与pbzro3钙钛矿相的基体结合良好，不存在微裂纹、针孔等细观缺陷，复合薄膜可以具有良好的绝缘性能。嵌入pbzro3基体上的pbtio3纳米粒子可以打破pbzro3的反铁电长程有序，从而使复合薄膜的极化特性可以根据pbtio3:pbzro3的摩尔比进行调节，从反铁电性到铁电性。 Lead titanate with a molar ratio of pbtio3:pbzro3 of 6/37

‒

Lead zirconate nanocomposite films have good ferroelectricity, and the remanent polarization is 77.7 μc/cm2, which is significantly higher than the commonly used pb(zr

0.52

ti

0.48

)o3 film (generally 20~40 μc/cm2）. Its maximum polarization and breakdown electric field strength are 141.4% and 15< higher than those of lead zirconate film, respectively. @7.3%. Lead titanate of the present invention

‒

The preparation method of lead zirconate nanocomposite film material has the characteristics of simple process, low cost and large area uniform film formation, and is also suitable for perovskite oxide nanocomposite such as dielectric energy storage film, magnetoelectric film and thermoelectric film. The preparation of thin films provides a new idea. Lead titanate

‒

Lead zirconate nanocomposite films are expected to have broad application prospects in the fields of ferroelectric integrated microelectronics such as data memory, crystal field effect transistors, surface acoustic wave devices and pulsed power devices.