使用MXENE开发的纳米厚的电磁屏蔽膜

（单击图像可查看全图。）均匀的纳米厚的蒙胶膜可以用作柔性电子和5G电信装置的电磁屏蔽。

均匀的纳米厚的MxENE *薄膜可用作柔性电子和5G电信设备中的电磁屏蔽。

韩国研究团队开发了一种用于制造用于电磁干扰（EMI）屏蔽的超薄材料的技术。该研究团队由Koo Chong-Min领导，韩国科学技术研究所的材料研究中心主管（KIST，代理总裁Yoon Seok-Jin），宣布它已开发出超薄纳米厚膜，使用MXENE，一种新的二维纳米材料，用于EMI屏蔽。该研究与韩国先进科学与技术研究院Kim Sang-Ouk教授Kim Sang-Ouk教授的团队共同进行了一支领导的团队（Kaist，总统：Shin Sung-Chul）和美国德雷塞尔大学教授牧师队领导的研究团队。

MIGROMET厚MXENE薄膜具有高导电性，2016年KOO Chong-Min报告，提出了出色的电磁干扰屏蔽。然而，没有可以用来直接将MXE应用于高度集成的电子设备，例如H5G通信和移动设备。

* mxene：具有与金属相同电导率（10,000 s / cm）相同水平的2D纳米材料。由KOO Chong-Min领导的研究团队报告，材料架构研究中心主管，kist材料的电导率越高，电磁干扰屏蔽性能越高（科学353，第11304页，第1137-1140页）。

KIST-KAIST-DREXEL联合研究团队使用自组装技术，用均匀的原子尺寸厚度制造超薄蒙胶膜。据报道MxENE膜具有出色的绝对电磁屏蔽性能（相对于厚度和密度的屏蔽效果）远远大于迄今为止报告的任何其他材料的绝对电磁屏蔽性能（相对于厚度和密度）。

通过将挥发性溶液添加到稀释的蒙氏溶液的表面上，研究团队能够诱导浮动薄片薄片。垂直对流，由表面张力的差异导致微粒尺寸蒙薄片的自组装，从而产生具有均匀原子粗厚的大尺寸超薄偏膜。该研究团队发现，层叠厚度为55nm的MxEne薄膜提供99％的电磁屏蔽效率。使用该团队的新技术制造的超薄蒙薄膜可以很容易地转移到任何基板上并多次分层，以进行定制厚度，透射率和表面电阻。

“我们使用了一种自组装技术来制造具有均匀原子尺寸厚度的超薄Ti3C2Tx MxENE膜。该技术有助于检查纳米厚的2D纳米材料的电磁屏蔽机制，并为柔性电子产品开发超薄电磁屏蔽应用技术，“KIST材料负责人Koo Chong-Min说。“我们认为，超薄涂覆的MXENE技术可以应用于各种电子设备并用于批量生产，从而促进了下一代轻质电磁屏蔽和柔性和可印刷电子产品的应用研究。”

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参考：“单层MXENE组件的电磁屏蔽”由Taeyeong Yun，Hyerim Kim，Aamir Iqbal，Yong Soo Cho，Gang San Lee，Myung-Ki Kim，Seon Joon Kim，Daesin Kim，Yury Gogotsi，Sang Ouk Kim和Chong Min Koo，23 1月2020年，先进的材料.DOI：
10.1002 / ADMA.201906769

由韩国科技部（Choi Ki-Young）支持的研究是通过KIST研究实验室项目的KIST的主要项目之一，研究领导者支持项目（多维纳米大会和控制创新研究团体）;和NNFC-Drexel-SMU国际联合研究项目。一篇关于该研究的研究结果发表于最新问题“先进材料”（ADV。母校2020,32,1906769;如果：25.809，占JCR的1.042％）。