mosfet对驱动电路的基本要求「mos管驱动继电器电路」

今天带来mosfet对驱动电路的基本要求「mos管驱动继电器电路」，关于mosfet对驱动电路的基本要求「mos管驱动继电器电路」很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

前面小编有对mos管的一些简单介绍，但都不够全面，这不前几天就有人跟小编说对mos管驱动电路一直半解，要我来谈谈mos管驱动，那我们今天就来聊聊当用mos管设计开关电源或电机驱动电路时的一些问题，其实我在设计它们的驱动电路是，往往只考虑 MOS的导通电阻、最大电压等，而许多人只考虑这一点。其实这类电路可能会起作用，但用起来不是很好，不能作为正式的产品设计使用。

首先我们要谈谈 Mos管的导通特性。导通的意思就是疏通的意思，它就像一个开关，等于开关闭合。NMOS导通特性， Vgs要比某值高，只要栅压达到4 V或10 V，就可以适用于源极接地，PMOS的特性，只要 Vgs比某值低就会导通，适用于源极接 VCC的情况。但是，虽然 PMOS是一种非常方便的高端驱动，但是，普遍采用的是 NMOS，因为导通电阻大，价格昂贵，更换品种少。

而不管是 NMOS或是 PMOS ，导通 后都普遍存在 1个 导通 电阻 ，因而 电流 在这个电阻 上耗费 的能量 都被称为导通损耗。目前有一些几豪欧几十欧的导通电阻的mos管，我们可以选用这种mos管来减少流量损失。

MOS在引导和截止时，肯定不会在瞬间完成。mos管端电压呈递减过程，流过电流呈递增过程，在此期间 mos管的损耗为电压和电流的乘积，称为开关损耗。一般情况下，开关损耗远大于导通损失，开关频率越高，损耗越大。瞬时电压和电流的乘积越大，那么损失也会很大。我们可以用缩短开关时间和减少开关频率这两种方法来减少开关损失。与双极性晶体管相比，通常认为 MOS管导通无需电流，只要 GS电压高于某一数值，即可。这做起来简单，但也需要速度。

由 MOS管结构可知，在 GS与 GD之间存在寄生电容， mos管的驱动实际上就是向电容充放电。电容器的充电需要电流，因为在瞬间充电电容会将电容看作是短路，所以瞬间电流会比较大。

其次，一般在高端驱动N型mos上用，导通性需要源极电压。而且极MOS电压导通源与漏极VCC相同，所以这个时候压力比VCC大4V或者10V。如果你想在同一个系统中获得VC电压，你需要一个特殊的升压电路。

上面提到的4 V、10 V是常用 mos管的导通电压，当然在设计上要有一定的余量。随着电压的升高，导通速率的增加，导通电阻也会减小。同样，目前 mos管使用的导通电压较低，但在12 V汽车电子系统中，一般4 V导通已经足够。

mos管最突出的特点就是开关特性好，因此广泛用于需要电子开关的电路中，一般情况下，例如开关电源和电机驱动，也有灯光调节。

当用mos管设计开关电源或电机驱动电路时，有哪些问题需要注意就讲到这了，想要了解更多mos管、二三极管等半导体的应用、选型知识介绍，可做收藏点击咨询服务详询，为您带来更多的电子元器件行业资讯。