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简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么?「绝缘栅双极型晶体管简称」

时间:2023-03-25 11:57:01来源:搜狐

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IGBT是"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。

IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。

根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。

IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。

尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。

【功率元器件的基本结构与特点】

MOSFETBIPOLAR

IGBT

基本结构

控制

栅极电压

基极电流

栅极电压

容许电流

开关

导通电阻

MOSFET是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。

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