时间:2023-03-25 11:57:01来源:搜狐
今天带来简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么?「绝缘栅双极型晶体管简称」,关于简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么?「绝缘栅双极型晶体管简称」很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!
IGBT是"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。
IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。
功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。
【功率元器件的基本结构与特点】
MOSFETBIPOLAR
IGBT
基本结构
控制
栅极电压
基极电流
栅极电压
容许电流
✕
△
○
开关
○
✕
△
导通电阻
✕
△
○
MOSFET是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
声明:文章仅代表原作者观点,不代表本站立场;如有侵权、违规,可直接反馈本站,我们将会作修改或删除处理。
图文推荐
2023-01-16 12:37:52
2023-01-13 17:30:49
2023-01-01 10:53:04
2023-01-01 10:47:31
2023-01-01 10:17:20
2023-01-01 10:11:57
热点排行
精彩文章
2023-01-01 09:47:20
2023-01-01 09:41:40
2023-01-01 08:53:19
2022-12-31 19:05:28
2022-12-31 18:47:03
2022-12-31 18:41:02