重庆平伟半导体「美光半导体西安有限责任公司」

今天带来重庆平伟半导体「美光半导体西安有限责任公司」，关于重庆平伟半导体「美光半导体西安有限责任公司」很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

概要

（1）重庆平创半导体研究院有限责任公司是一家有着国资背景的高新技术企业，公司成立于2019年，总部位于重庆璧山国家级高新技术产业开发区。重庆平创半导体研究院致力于发展新的功率半导体技术（尤其是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体技术）、先进智能感知技术和高效能量转换与控制技术，为新能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信、节能环保等领域提供优质的功率半导体核心元器件、智能感知技术和系统解决方案。

（2）团队研究能力与技术处于国内领先水平，在碳化硅芯片与器件领域先后取得十多项成果专利，并承担多项产业重大项目。团队已经帮助解决多款X用非标大功率功率半导体器件与芯片国产化难题，性能指标可完全替代现用国外同类产品。已设计开发成功1200V、1700V等碳化硅肖特基二极管和MOSFET系列新芯片产品，测试性能指标达到国际水平，且已经可以批量供货。在国内率先开发出基于全碳化硅芯片技术的直流电源模块。

【资格】无。

交易条件

转让底价2400万元，一次性支付，保证金720万元。

公司简介

重庆平创半导体研究院有限责任公司是一家有着国资背景的高新技术企业，公司成立于2019年，总部位于重庆璧山国家级高新技术产业开发区。重庆平创半导体研究院致力于发展新的功率半导体技术（尤其是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体技术）、先进智能感知技术和高效能量转换与控制技术，为新能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信、节能环保等领域提供优质的功率半导体核心元器件、智能感知技术和系统解决方案。

重庆平创半导体研究院始终秉承“客户至上，服务为王”的企业发展理念，并将“为客户持续创造价值是平创存在的唯一理由”作为企业的核心文化。为更好地服务每一位客户和创造客户持续的价值体验，平创注重研发自己的核心技术，形成自己的核心竞争力，并通过跟友商和合作伙伴的紧密合作，实现开放式创新。“人才是引领发展的第一动力”，平创通过提供富有竞争力的薪酬福利，并建立良好的合伙人机制和股权激励机制，吸引高水平的人才，来发展高质量的民族工业。

重庆平创半导体研究院研发团队研究能力与技术处于国内领先水平，在碳化硅芯片与器件领域先后取得十多项成果专利，并承担多项产业重大项目。团队已经帮助解决多款X用非标大功率功率半导体器件与芯片国产化难题，性能指标可完全替代现用国外同类产品。已设计开发成功1200V、1700V等碳化硅肖特基二极管和MOSFET系列新芯片产品，测试性能指标达到国际水平，且已经可以批量供货。在国内率先开发出基于全碳化硅芯片技术的直流电源模块。

主要产品

1、新能源汽车交流充电桩(7kW)

能根据客户要求灵活配置，可提供单机版、以太网版、4G版。以太网、4G版主要用于运营，可通过自带的平台管理充电桩，实现电价设置、充电数据统计等功能；用户可扫二维码或刷卡方式支付充电费用；单机版可实现一卡对应一桩或多卡对应多桩的灵活配置，用户能用刷卡方式充电，电费可通过给卡充值计费或通过独立电表计费，户外能满足IP54防护等级，安装方式有壁挂式和立柱式，可根据实际需要选择。

2、新能源汽车直流充电桩(90kW/120kW/160kW)

能够实现快速充电，充电半小时可把1辆车的电量从20%充至70%以上，主要用于运营充电站的场景，拥有智能化充电过程控制和完善的充电过程监护，可通过自带的平台管理充电桩，实现电价设置、充电数据统计、远程控制等功能。用户可通过扫二维码或刷卡方式支付充电费用，同时在运营平台上实时显示已充电量、充电时间、当前电价、充电价格等信息及运行状态。 先进的数字化均流技术，单双枪充电系统可选，可实现单枪最大功率充电，双枪充电模式下可智能平均分配功率，能满足不同车辆同时充电需求。

3、碳化硅肖特基二极管

SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源 的PFC电路中。此外 ，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持 恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆 变器中使用。SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性，例如电池充电，电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池 板。碳化硅的低发热特性还使得制造商能够减。

4、碳化硅场效应管

SiC MOSFET消除了开关期间的拖尾电流，可高速运行且开关损耗低。其低导通电阻和小型化紧凑的芯片尺寸设计确保了 较低的电容和栅极电荷。SiC 具有优异的材料属性，导通电阻阻值增加量极小，能提供比Si器件更小的封装及更节能的效果， 不会像Si器件的导通电阻随着温度的升高而上 升2倍以上，因此其可在更高温的环境中高效工作。SiC MOSFET具有近乎瞬时 开关的高频开关能力，能够打造适用于使用高压类的开关设备，使技术人员能够得到更高质量的测试结果。在智能制造业领 域，通过提供陡升时间而提升了。

5、碳化硅功率模块

重庆平创碳化硅功率模块是在芯片产品的基础上，根据客户需求，多芯片组合集成的功能性组件，具有十分丰富的种类变化，可以集成化地贴 近客户需求，解决客户应用难题。目前，重庆平创已经开发和预开发多款SiC MOSFET模组，包括650V 60A模组、1200V 20A/40/450A 模组、 1700V 25A/200A/225A模组。

6、MOSFET功率模块

MOSFET功率模块就是按一定功能、模式的组合体，MOSFET功率模块是大功率电子电力器件按一定的功能组合再灌封成一体。 MOSFET功率模块可根据封装的元器件的不同实现不同功能，MOSFET功率模块配用风冷散热可作风冷模块，配用水冷散热可作 水冷模块等。平创半导体研究院有限责任公司的MOSFET功率模块广泛应用与电源领域。

7、IGBT功率模块

IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。 实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它具有通态饱和电压低，开关 频率高（可达20khz）这两点非常显着的特性。平创半导体研究院有限责任公司的IGBT功率模块广泛应用于伺服电机，变频器，变频家 电等领域。

财务状况

股权结构

其他披露内容

1、近期财务报表数据系母公司2022年1-2月累计数值。

2、根据标的企业情况说明显示：（1）2021年度标的企业向重庆三峡银行借款流动资金7,500,000元，以应收账款质押，该质押借款已于2022年3月偿还，质押解押手续正在办理中；（2）截至2022年2月28日，标的企业注册资本尚未缴足，其中：股东陈显平、重庆高新技术产业研究院有限责任公司注册资本已全额缴足，股东陈成明认缴出资额2592万元，实缴资本1602.614817万元；股东毛志飞认缴出资额1008万元，实缴资本623.239088万元。

3、据评估报告显示：（1）标的企业股东全部权益评估值为15,940.00万元，在不考虑流动性及非控股性的条件下，按实缴出资比例计算重庆高新技术产业研究院有限责任公司持有的股东权益评估价值为2325.35万元；（2）根据(2021) 渝0120民初103202号判决书，标的企业重庆平创半导体研究院有限责任公司向璧山区人民法院申请对重庆盛缔建筑工程有限公司强制执行支付货款6000323.2元；（3）转让方未向评估机构提供无形资产非专利技术、专利技术的技术先进性、技术说明等资料。该部分非专利技术为陈显平用于出资的无形资产，2019年因出资进行了资产评估，评估报告为《资产评估报告》中金浩评报字[2019] 第1891号，评估机构引用了该报告结论。其余专利技术为标的企业于2021年购买获得；（4）标的企业于2022年通过无形资产出资其长期股权投资的浙江罗克维能源技术有限公司，无形资产评估作价250万元，本次评估以出资额作为评估值；（5）标的企业子公司重庆平合新能源科技有限公司于2022年4月7日备案新公司章程，引进新股东，注册资本变更为194.1748万元，公司持股比例降为51.5%。以上内容均详见评估报告。

4、据2021年度合并审计报告显示：标的企业本期合并子公司2家，分别是重庆平合新能源科技有限公司和重庆平创半导体科技有限责任公司，另外4家由于无业务发生未纳入合并范围。

项目图片