英飞凌igbt选型「英飞凌电流传感器」

今天带来英飞凌igbt选型「英飞凌电流传感器」，关于英飞凌igbt选型「英飞凌电流传感器」很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

英飞凌官微

【2022年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm² 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知，无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。

PQFN 2×2

这些领先的功率MOSFET器件采用PQFN 2×2封装，具备更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及业界极低的导通电阻，能够进一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封装，为PCB布局布线提供了更高的灵活性。此外，该解决方案还具有出色的电气性能，可进一步提高终端应用的功率密度，缩小外形尺寸。同时，系统温度的降低、性能的提升，也让热管理变得更加轻松。这些特性有助于实现更小巧的客户应用，充分节省空间、降低系统成本，打造易于设计的产品。

英飞凌推出全新车规级

750 V EDT2 IGBT

适用于分立式牵引逆变器

【2022年3月21日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质，EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计，所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。

EDT2 IGBT 750V

为了满足目标应用的要求，英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离，更有利于进行系统设计。同时，EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化，击穿电压为750 V，可支持高达470 VDC的电池电压，并显著降低开关和导通损耗。

英飞凌IPOSIM平台推出

功率器件使用寿命评估服务

以简化半导体器件选型

【2022年3月22日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司的功率器件在线仿真平台IPOSIM被广泛应用于计算功率模块、分立器件和平板器件的损耗及热性能。通过该平台可轻松分析单个工作点及用户自定义的负荷曲线。在电力电子系统设计的早期阶段评估功率模块的使用寿命，对于工业领域的客户而言变得越来越重要。这給中小型企业带来了挑战，因为他们通常缺乏实施适当仿真所需的资源。为了給这些企业提供支持，英飞凌的IPOSIM平台推出了一项新的高级功能，也就是一项能够根据设计参数和应用需求快速评估器件使用寿命的自动化服务。

IPOSIM Life time Estimation

英飞凌IPOSIM平台的功率器件使用寿命评估服务（IPOSIM Lifetime Estimation）支持在线获取器件使用寿命评估算法和英飞凌独特的专业知识，以简化设计流程，这在业内尚属首创。在设计过程中，客户可以根据需要随时在线访问英飞凌的电力电子专业知识。

免责声明：凡注明为其它来源的信息均转自其它平台，目的在于传递更多信息，并不代表本站观点及立场。若有侵权或异议请联系我们处理。